深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MN
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：10.3 A
Rds上漏源导通电阻：10.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.8 V
Qg-血浆甲醛：35 nC
工作温度：-40 C
工作温度：150 C
Pd-功率耗散：89 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：15 S
下降时间：16 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：26 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：34 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：IRF6644TRPBF SP001563476
单位重量：87.050毫克
应用领域

符合RoHS
无铅（符合260°C回流焊标准）
应用指定MOSFET
理想的高性能隔离式转换器主开关插座
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
薄型（<0.7mm）
双面散热兼容Cool
与现有的表面贴装技术兼容
描述
IRF6644PbF将的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，从而在占地仅为SO-8且外形仅为0.7 mm的封装中实现了的导通状态电阻。当遵循有关制造方法和工艺的应用笔记AN-1035时，DirectFET®封装可与电力应用，PCB组装设备和气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何兼容。 DirectFET®封装允许双面冷却，以化电力系统中的热传递，从而将以前的热阻提高80％。
IRF6644PbF针对隔离式DC-DC应用中的初级侧桥拓扑，广泛的通用电信输入（36V-75V）以及稳压DC-DC拓扑中的次级侧同步整流进行了优化。器件总损耗的减少与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温，这是改善系统可靠性的关键，并使该器件成为高性能隔离式DC-DC转换器的理想选择。