深圳市誉辉天成电子有限公司

　　NCE55P15K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　NCE55P15K一般特征：

　　VDS=-55v,ID=-15

　　RDS(ON)<75mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

　　NCE55P15K封装应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　直流-直流转换器

　　NCE55P15K封装原理图：

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-55V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-15

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-10

　　脉冲漏极电流：-50

　　最大功耗：35W

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。